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東芝推出N溝道功率MOSFET,有助提高電源效率

關鍵字:東芝MOSFET 功率MOSFET 電源芯片 發(fā)布時間:2023-06-14

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數(shù)據(jù)中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品,于今日開始批量出貨。

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通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比,600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%,漏源導通電阻×柵漏電荷(MOSFET性能的品質因數(shù))降低了約52%。這有助于確保該系列產(chǎn)品實現(xiàn)導通損耗和開關損耗的雙重降低,并最終實現(xiàn)了開關電源效率的提高。

該新產(chǎn)品采用TOLL封裝,柵極驅動采用開爾文連接。可以通過降低封裝中源極線電感的影響,增強MOSFET的高速開關性能,從而抑制開關過程中的振蕩。

未來,東芝將繼續(xù)擴展600V DTMOSVI系列產(chǎn)品線,以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產(chǎn)品,并通過降低開關電源的功率損耗來達到節(jié)約節(jié)能的目的。

圖1:漏極-源極導通電阻與柵漏電荷比較

image002.png

  應用

-     數(shù)據(jù)中心(服務器開關電源等)

-     光伏發(fā)電機功率調節(jié)器

-     不間斷電源系統(tǒng)

  特性

-     低漏源導通電阻×柵漏電荷,有助于提高開關電源的效率

  主要規(guī)格

(除非另有說明,Ta=25℃)

器件型號

TK055U60Z1

絕對最大

漏極-源極電壓VDSS(V)

600

漏極電流(DC)ID(A)

40

結溫Tch(℃)

150

電氣特性

漏極-源極導通電阻

RDS(ON)(mΩ)

VGS=10V

最大值

55

總柵極電荷Qg(nC)

典型值

65

柵極-漏極電荷Qgd(nC)

典型值

15

輸入電容Ciss(pF)

典型值

3680

封裝

名稱

TOLL

尺寸(mm)

典型值

9.9×11.68

厚度=2.3

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注:

[1] 截至2023年6月

如需了解有關該新產(chǎn)品的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:

TK055U60Z1

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK055U60Z1.html

如需了解東芝MOSFET產(chǎn)品的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:

MOSFET

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

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TK055U60Z1

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*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。

 

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