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美光出重手反擊

作者:admin 來(lái)源:不詳 發(fā)布時(shí)間:2018-01-05  瀏覽:36

DRAM大廠美光出重手反擊陸廠挖角行動(dòng),上月配合臺(tái)灣檢調(diào)單位,針對(duì)前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員跳槽至對(duì)岸或協(xié)助國(guó)內(nèi)廠進(jìn)行DRAM研發(fā),大規(guī)模展開(kāi)搜索,并限制相關(guān)人員出境,估計(jì)有上百人遭到約談及搜索,在業(yè)界掀起極大震撼。



這也是美光去年底寄存證信函給大批從美光陣營(yíng)跳槽至內(nèi)地廠或協(xié)助進(jìn)行研發(fā)的聯(lián)盟廠商后,正式透過(guò)檢調(diào)單位協(xié)助,訴諸法律行動(dòng),防止相關(guān)營(yíng)業(yè)和技術(shù)機(jī)密遭竊取。

美光昨天證實(shí)已向檢調(diào)單位提出重要信息遭盜用,并配合檢調(diào)單位進(jìn)行調(diào)查,但因進(jìn)入司法調(diào)查程序,對(duì)到底有多少人遭到調(diào)查,目前暫無(wú)法對(duì)外提供。

消息人士透露,這波遭到美光反制,透過(guò)司法途徑對(duì)從美光并購(gòu)后的前華亞科和瑞晶員工展開(kāi)搜索行動(dòng),應(yīng)是已掌握相關(guān)人員竊取營(yíng)業(yè)和技術(shù)資料跳槽至內(nèi)地公司或協(xié)助內(nèi)地DRAM研發(fā)的臺(tái)灣半導(dǎo)體廠。

遭到搜索的相關(guān)人員尤其集中華亞科員工。據(jù)了解,在美光提出并購(gòu)華亞科全數(shù)股權(quán)后,已有近兩百名員工跳槽至合肥長(zhǎng)鑫、紫光集團(tuán)和福建晉華等公司,因?yàn)橄嚓P(guān)發(fā)展DRAM公司祭出比臺(tái)灣二至三倍高薪,全力挖角。

但紫光集團(tuán)透過(guò)管理澄清,目前挖角前華亞科的員工多數(shù)是屬于建廠相關(guān)事務(wù)人員,紫光集團(tuán)決定朝自主研發(fā)DRAM、儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)等,目前重心先投入3D NAND Flash研發(fā)。

美光展開(kāi)司法反制行動(dòng),確已收到強(qiáng)大恫嚇和阻撓陸廠開(kāi)發(fā)DRAM腳步,據(jù)了解,跳槽至福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)利基型DRAM的多位重要成員,也是這次遭到調(diào)查和限制出境的對(duì)象;由福建晉華出資設(shè)在聯(lián)電南科廠的試產(chǎn)線已暫時(shí)停止,正由檢查人員進(jìn)行調(diào)查。

編輯:admin  最后修改時(shí)間:2018-01-05

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