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該系列產品包含1200V和650V兩種規(guī)格－
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。
新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。
東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現碳中和經濟。
應用：
-??? 開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）
-??? 電動汽車充電站
-??? 光伏變頻器
-??? 不間斷電源（UPS）
特性：
-??? 單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）
-??? 低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）
-??? 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
主要規(guī)格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）
器件型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | 電氣特性 | 庫存查詢與購買 | |||||||
漏極-源極電壓 VDSS（V） | 柵極-源極電壓 VGSS（V） | 漏極電流 （DC） ID（A） | 漏極-源極導通電阻 RDS(ON) 典型值（mΩ） | 柵極閾值電壓 Vth（V） | 總柵極電荷 Qg 典型值（nC） | 柵極-漏極電荷 Qgd 典型值（nC） | 輸入電容 Ciss 典型值（pF） | 二極管正向電壓 VDSF典型值 （V） | |||
@Tc＝25℃ | @VGS＝18V | @VDS＝10V | @VDS＝400V、 F＝100kHz | @VGS＝-5V | |||||||
TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | -1.35 | 在線購買 |
TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在線購買 | |||||
TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在線購買 | |||||
TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在線購買 | |||||
TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在線購買 | |||||
TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 在線購買 | ||||
TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在線購買 | |||||
TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在線購買 | |||||
TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在線購買 | |||||
TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在線購買 | |||||
注：
[1] 通過采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構。
[2] MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。
[3] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。
[4] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。
如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
1200V產品
TW015N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW015N120C
TW030N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW030N120C
TW045N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW045N120C
TW060N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW060N120C
TW140N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW140N120C
650V產品
TW015N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW015N65C
TW027N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW027N65C
TW048N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW048N65C
TW083N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW083N65C
TW107N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW107N65C
如需了解相關東芝SiCMOSFET的更多信息，請訪問以下網址：
SiC功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html
SiCMOSFET
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1200V產品
TW015N120C
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TW030N120C
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TW045N120C
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TW060N120C
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TW140N120C
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650V產品
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TW027N65C
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TW048N65C
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TW083N65C
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TW107N65C
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*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文檔中的產品價格和規(guī)格、服務內容和聯系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領先供應商，公司累積了半個多世紀的經驗和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統(tǒng)LSI和HDD領域的杰出解決方案。
公司23,100名員工遍布世界各地，致力于實現產品價值的最大化，東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進價值共創(chuàng)，共同開拓新市場，公司現已擁有超過7,110億日元（62億美元）的年銷售額，期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。
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