intel研發(fā)4bit QLC閃存 容量可達(dá)10TB
我們對(duì)Intel的印象最為深刻的還是它的CPU處理器產(chǎn)品，而它的涉及產(chǎn)品線(xiàn)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止于此。Intel還有在存儲(chǔ)市場(chǎng)上賣(mài)的不錯(cuò)的SSD固態(tài)硬盤(pán)，并且在企業(yè)級(jí)等產(chǎn)品線(xiàn)中還可以說(shuō)是最佳的選擇之一。雖然現(xiàn)在的TLC經(jīng)過(guò)技術(shù)升級(jí)已經(jīng)大大改善了性能及可靠性，但從大家的反應(yīng)來(lái)看，TLC閃存的心理接受度并不高。只不過(guò)TLC閃存遠(yuǎn)不是NAND發(fā)展的終點(diǎn)，也許用不了多久我們就能看到容量更大、但問(wèn)題也會(huì)更多的QLC閃存了，Intel已經(jīng)在開(kāi)發(fā)容量可能超過(guò)10TB的QLC閃存硬盤(pán)了。
容量可能超過(guò)10TB 英特爾研發(fā)大容量QLC閃存
我們說(shuō)的TLC閃存準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)是3bit MLC，每個(gè)Cell單元可以?xún)?chǔ)存3個(gè)數(shù)據(jù)，有8個(gè)狀態(tài)，而QLC則是4bit MLC，每個(gè)Cell單元能存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)，有16個(gè)狀態(tài)，因此QLC閃存的容量更大，成本更低，但4位數(shù)據(jù)帶來(lái)的挑戰(zhàn)也很大，更精確的電壓控制、更復(fù)雜的干擾等問(wèn)題都會(huì)影響QLC閃存的性能及可靠性。
目前QLC閃存普遍停留在研究階段，商業(yè)生產(chǎn)還早，但QLC的大容量低成本對(duì)廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)是個(gè)不可抗拒的誘惑，Intel、美光前不久正式發(fā)布了3D閃存技術(shù)，而3D閃存對(duì)發(fā)展TLC以及QLC閃存是個(gè)良機(jī)，傳統(tǒng)平面NAND閃存在提升容量及可靠性上日漸乏力，但3D堆棧技術(shù)使得閃存可靠性及速度都有所改善。
Intel、美光的3D閃存目前主要是256Gb核心的MLC閃存，今年秋季會(huì)推出384Gb核心容量的TLC閃存，而QLC閃存也在開(kāi)發(fā)中，雖然現(xiàn)在還沒(méi)有確定的時(shí)間表，但QLC閃存遲早也會(huì)出現(xiàn)在我們的視野中的，屆時(shí)我們可以在2.5寸硬盤(pán)上輕松實(shí)現(xiàn)10TB+的容量。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-08-19
