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SAMSUNG量產3D Vertical NAND FLASH

作者：來源: 發(fā)布時間：2020-06-02 瀏覽：32

關鍵字：業(yè)界技術領先的韓國三星公司宣布，該公司已經成功研發(fā)并量首新型NAND閃存--3D Vertical NAND flash。三星公司表示新型NAND閃存將能夠大幅提升存儲容量的同時，產品的可靠性、擴展性以及性也將會獲得很大的提升。新產品為3D Vertical NAND閃存，可用于消費類或者企業(yè)級嵌入式存儲應用以及SSD硬盤產品。通過3D Charge Trap Flash (CTF)技術以及vertical interconnect技術的應用，三星公司能夠實現單芯片容量128Gb。對此三星公司將這項技術形容為“重新設計了CTF架構。” 三星公司表示，V-NAND閃存在產品可靠性上將可獲得2-10倍的提升，寫入性能將會倍增，同時這項技術能夠支持最多24層產品設計。