受惠智能手機(jī)需求旺、三星西安廠短暫跳電，第三季 NAND Flash 市況加溫
TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)3個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。
DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于管道（Channel）的供貨比重來滿足eMMC／eMCP與固態(tài)硬盤（SSD）的需求，并同時(shí)積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND Flash，讓2D-NAND Flash的產(chǎn)出持續(xù)下滑，因此現(xiàn)貨與管道市場的貨源更顯緊縮。DRAMeXchange預(yù)估2016年第三季的TLC-Wafer及現(xiàn)貨卡片價(jià)格將持續(xù)走揚(yáng)，而第四季的NANDFlash市況將視蘋果新一代iPhone與其他品牌智能手機(jī)新品上市后的銷售力道而定。
三星西安廠停電事故將加深市場對第三季供不應(yīng)求的預(yù)期心理
6月18日凌晨，中國西安市南一變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數(shù)秒，在工程師搶修設(shè)備，并快速進(jìn)行在線晶圓損害清查后，目前部分產(chǎn)能已恢復(fù)生產(chǎn)。現(xiàn)階段三星西安廠投產(chǎn)規(guī)模達(dá)每月10萬片，全數(shù)為先進(jìn)的3D-NAND Flash，主要應(yīng)用在固態(tài)硬盤。
楊文得指出，依照事發(fā)當(dāng)日部分產(chǎn)能已能恢復(fù)生產(chǎn)的進(jìn)度來看，此次停電對三星NANDFlash的產(chǎn)出影響有限，預(yù)估當(dāng)日其在線受損晶圓（Wafer-In-Process）片數(shù)約略在1萬片以內(nèi)，此缺口透過增加投片及縮短部分制程可以彌補(bǔ)，但此突發(fā)事件恐將加深市場對第三季NANDFlash供不應(yīng)求的預(yù)期性心理。
eMMC／eMCP受益平均搭載容量加大、固態(tài)硬盤需求動能強(qiáng)勁
楊文得指出，2016年NAND Flash需求位年成長率為42%，其中以智能手機(jī)、平板及固態(tài)硬盤的需求為主要動能，占整體成長比重逾90%。雖然今年智慧手機(jī)出貨已進(jìn)入成長高原期，但eMMC／eMCP市場仍得益于平均搭載容量的逐步放大，如新一代iPhone極可能搭載最高256GB儲存容量，首波備貨需求大大挹注第三季NANDFlash市場。此外，eMMC／eMCP的降價(jià)趨勢，也激勵中國品牌等智慧手機(jī)廠商競相提高產(chǎn)品規(guī)格，32GB以上容量已成為高端智能手機(jī)搭載的大宗，16GB的占比則逐漸式微。
今年固態(tài)硬盤強(qiáng)勁的需求動能占整體NANDFlash高達(dá)34%，在各終端應(yīng)用領(lǐng)域稱冠。由于2016年底128GB固態(tài)硬盤價(jià)格將低于500GB傳統(tǒng)硬盤，使得用戶級固態(tài)硬盤價(jià)格的吸引力愈趨顯著。DRAMeXchange預(yù)估2016年筆記本電腦SSD搭載率有望在第四季挑戰(zhàn)40%門坎。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
